前言

陕西半导体先导技术中心有限公司作为陕西省重点技术研发产业化平台，凭借多年在碳化硅领域的积淀，持续深耕第三代半导体产品研发与技术创新，正式推出1200V 4mΩ N 沟道碳化硅（SiC）功率 MOSFET 器件，已面向市场供货。

part1：产品概述

该产品在导通电阻、开关速度、热性能与可靠性等核心指标上均达到行业先进水平，可广泛适配新能源汽车车载充电机（OBC）、电机控制器、储能 PCS 系统、工业逆变器、轨道交通牵引变流器、航空航天电源等高端功率转换场景。

part2：核心参数

part3：主要功能介绍

核心性能对标国际一流 实现关键参数突破

本次发布的是陕西半导体先导技术中心针对1200V电压等级大功率应用场景打造的旗舰级 SiC功率MOSFET产品，核心性能参数实现多项突破。

1.超低导通损耗

在数智技术加速迭代的当下，各类创新成果正以前所未有的速度融入生产生活的方方面面器件典型漏源导通电阻 RDS (ON)为4mΩ,大幅降低导通状态下的功率损耗，显著提升整机转换效率。

2.超高电流承载能力

25℃环境下连续漏极电流达 410A，脉冲漏极电流峰值 800A，可稳定支撑大功率设备的持续运行与瞬时可过载场景。

3.高速开关特性

典型总栅极电荷 Qg 仅735nC，开通延迟时间 32.5ns、上升时间 37.2ns，关断延迟时间46.1ns，大幅降低开关损耗与电磁干扰（EMI），适配高频开关电源设计需求。

4.优异的热性能

结壳热阻 RthJC 仅0.135℃/W，最高工作结温可达 175℃，配合 TO-247PLUS-4L封装的优化散热设计，可在高温高功率环境下保持稳定运行，大幅提升整机可靠性。

5.晶圆级技术保障

器件采用150mm规格SiC晶圆制造，通过优化的元胞结构与终端设计，实现了耐压、导通电阻与开关性能的最优平衡。

6.高可靠性设计

器件通过严格的可靠性验证，可承受- 55℃~175℃的宽温工作环境，栅源电压可承受 - 10V~22V的动态波动，单脉冲雪崩能量可达313mJ，可适配工业级、汽车级等严苛应用场景的可靠性要求。

part4：技术支持与产品咨询

此产品已在一些领域开始测试，并小批量应用。如您有订购需求。

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